"Niveles trampa de defectos vacancias de oxígeno en nanoestructuras de SnO2 dopadas con Ag"
Raúl Sánchez Zeferino
Departamento de Física
Univesidad de Sonora
Resumen:
En este trabajo se investigaron los niveles de distribución de trampas relacionados con vacancias de oxígeno (OVs) y otros defectos en nanopartículas de SnO2 dopadas con Ag y no dopadas sintetizadas por el método hidrotermal.
El análisis espectral de las nanoestructuras de SnO 2 por medio de espectroscopias como micro-Raman y fotoluminiscencia ha permitido identificar los defectos existentes, defectos de tipo vacancias de oxígeno principalmente así como defectos extrínsecos que están implicados en la luminiscencia térmicamente estimulada (TL) y de fotoluminiscencia (PL) debido a procesos de recombinación radiativa. Las muestras nanoestructuradas fueron expuestas a radiación ionizante para generar numerosos pares electrón-hueco, seguido del llenado de trampas en niveles de atrapamiento disponibles dentro de la banda prohibida.
Las mediciones de termoluminiscencia permitieron identificar tres conjuntos principales de niveles de distribución de trampas continuas asociadas principalmente a las vacantes de oxígeno y otros defectos en la red. Además, se encontró que la respuesta a la dosis TL integral es lineal y con buenas características dosimétricas, lo que indica que los nanocristales de SnO2 son buenos materiales nanodosímetricos para altas dosis y cualquier tipo de radiación ionizante.